SiC Coated Planetary Susceptor

Ang SiC Coated Planetary Susceptor ng Semixlab ay ginawa para sa susunod na henerasyon ng semiconductor epitaxy at CVD thermal processing, kung saan ang thermal uniformity, defect-free growth, at pangmatagalang chamber stability ay mahalaga sa ani ng device. Ang carrier na ito ay partikular na idinisenyo para sa mga kapaligirang may mataas na temperatura na higit sa 1500°C at sa kumplikadong gas chemistry na karaniwang matatagpuan sa silicon, SiC, at GaN epitaxial systems. Ang proprietary SiC coating ay nagbibigay ng siksik at mataas na kadalisayan na protective layer na pumipigil sa kontaminasyon at tinitiyak ang matatag at pangmatagalang operasyon sa mga demanding production fab.

Sa mga prosesong epitaxial ng semiconductor tulad ng paglaki ng Si, SiC, at GaN, ang mga planetary wafer carrier ay nagsisilbing pangunahing mekanikal at thermal platform para sa pagdadala ng mga wafer papunta sa reaction zone. Ang kanilang na-optimize na thermal conductivity ay nagbibigay-daan sa tumpak na distribusyon ng temperatura, habang tinitiyak ng planetary rotation system ang pagkakapareho sa mga rate ng paglaki, pagsasama ng dopant, at kalidad ng kristal sa maraming wafer. Sa paggawa ng SiC power device, kahit na ang ±1-2% na pagbabago-bago ng temperatura ng substrate ay nakakaapekto sa basal plane dislocation density at performance ng device. Ang pinahusay na thermal uniformity na ibinibigay ng mga SiC-coated planetary wafer carrier ay nakakatulong sa mga fab na mabawasan ang defect density, mapabuti ang pagkakapareho ng kapal, at mapataas ang batch-to-batch yield.

Bukod sa mga prosesong epitaxial, ang susceptor na ito ay mahalaga rin sa mga proseso ng chemical vapor deposition diffusion at thermal annealing, na nagsisilbing matatag na thermal interface sa pagitan ng pinagmumulan ng init at ng ibabaw ng wafer. Ang mga katangian nito na walang residue at low-particle surface ay nagpapaliit sa mga panganib ng kontaminasyon sa panahon ng pinahabang thermal cycling, na pinoprotektahan ang mga wafer mula sa pitting, pagbuo ng particle, o kontaminasyon sa likuran. Kung ikukumpara sa mga conventional graphite-based support assemblies, ang disenyo ng SiC coating ng Semixlab ay makabuluhang nagpapahaba ng buhay ng serbisyo, binabawasan ang downtime para sa paglilinis at pagsasaayos, at naghahatid ng mas mababang gastos para sa mga high-volume na linya ng produksyon.

Ang bawat Semixlab SiC Coated Planetary Susceptor ay gawa gamit ang mga high-purity graphite substrates at advanced CVD SiC coating deposition technology upang matiyak ang lakas ng pagdikit ng coating, pagkakapareho ng kapal, at resistensya sa thermal shock. Nag-aalok ang produkto ng mga napapasadyang sukat at configuration upang umangkop sa mga nangungunang epitaxial platform na ginagamit sa pangunahing paggawa ng kagamitan ng semiconductor. Saklaw ng mga teknikal na serbisyo ng Semixlab ang pagsusuri ng pagganap ng coating, pagkonsulta sa chamber compatibility, at pamamahala ng lifecycle, na idinisenyo upang matulungan ang mga fab na mapalawak ang kapasidad, mapanatili ang ani, at mapahusay ang mga cycle ng produksyon ng kagamitan. Taos-puso naming inaasahan ang iyong karagdagang mga katanungan.