Nadama ang Matigas na Graphite

Ang Semixlab Rigid Graphite Felt (RGF) ay inengineered bilang kritikal na high-temperature insulation at thermal management component para sa Physical Vapor Transport (PVT) na paglago ng SiC single crystals. Idinisenyo para magamit sa susunod na henerasyong 4H- at 6H-SiC na produksyon ng wafer, pinagsasama ng matibay na pakiramdam na ito ang napakababang thermal conductivity, mataas na integridad ng istruktura, at pambihirang kadalisayan ng kemikal, na ginagawa itong isang pundasyong materyal sa mga high-performance na SiC sublimation furnace. Tinitiyak ng application nito ang tumpak na kontrol ng mga thermal gradient, matatag na kondisyon ng paglago, at pinahusay na kalidad ng kristal sa mga mahabang yugto ng produksyon.

Sa proseso ng SiC PVT, ang pagpapanatili ng pare-pareho at pare-parehong thermal field ay pinakamahalaga sa pagkamit ng mga solong kristal na walang depekto. Ang Graphite Rigid Felt ay nagsisilbing pangunahing furnace insulation, na nakapalibot sa sublimation crucible at thermal field structures. Ang mababang thermal conductivity nito ay binabawasan ang hindi gustong pagkawala ng init, na pinapanatili ang target na gradient ng temperatura sa pagitan ng SiC source at seed crystal. Sa pamamagitan ng pagkontrol sa mga profile ng radial at axial na temperatura, pinapaliit ng RGF ang pagbuo ng mga basal plane dislocations, stacking faults, at micropipes, na direktang nakakaapekto sa integridad ng istruktura at elektronikong pagganap ng mga resultang SiC wafers.

Higit pa sa mga kakayahan nitong thermal insulation, ang matibay na istraktura ng graphite felt ng Semixlab ay nagbibigay ng mekanikal na katatagan sa mga kapaligirang may mataas na temperatura na higit sa 2000°C. Hindi tulad ng flexible o malambot na felts, pinapanatili ng RGF ang hugis nito sa ilalim ng matagal na thermal cycling, na pumipigil sa pagbagsak o deformation na maaaring makaistorbo sa thermal field o makompromiso ang buhay ng furnace. Ang chemical inertness nito ay nagsisiguro ng minimal na particulate release at iniiwasan ang kontaminasyon ng SiC boule, na kritikal para sa paggawa ng high-resistivity substrates para sa power electronics at wide-bandgap na mga application ng device.

Ginawa gamit ang high-purity graphitic carbon at mga advanced na diskarte sa densification, ang Semixlab Graphite Rigid Felt ay nagpapakita ng pare-parehong density, mahusay na dimensional na katatagan, at pangmatagalang tibay. Ang kumbinasyon ng thermal performance at mechanical rigidity ay nagbibigay-daan sa mga semiconductor fab na makamit ang pare-parehong mga rate ng paglago, mga reproducible na profile ng temperatura, at pinababang downtime sa mga PVT system. Sa pamamagitan ng pag-optimize ng furnace thermal efficiency, nag-aambag din ang RGF sa pagtitipid ng enerhiya habang pinapahusay ang pagkakapareho at ani ng wafer.

Ang Rigid Graphite Felt ng Semixlab ay nag-aalok ng performance, kadalisayan, at structural stability na kinakailangan upang suportahan ang mataas na kalidad na SiC single crystal growth, na nagbibigay sa mga manufacturer ng isang matatag na solusyon sa materyal para sa susunod na henerasyong produksyon ng wafer, pinahabang buhay ng furnace, at superyor na thermal management sa matinding mataas na temperatura na kapaligiran.